サニーベール（カリフォルニア州）発, June 24, 2019 (GLOBE NEWSWIRE) -- 高度化合物半導体技術プラットフォームを持つ, ウェハファウンドリ専業メーカーのSanan Integrated Circuit Co., Ltd.（三安IC）は、本日、世界市場における最新の高電圧AC/DCおよびDC/ACパワーエレクトロニクスアプリケーション向けの150mm窒化ガリウムオンシリコン（GaN-on-Si）ウェハファウンドリサービスの商用リリースを発表した。三安ICの新しいG06P111はショットキーバリアダイオード（SBD）用の100mmおよび150mmの炭化ケイ素（SiC）を含むワイドバンドギャップ（WBG）化合物半導体のパワーエレクトロニクスウェハファウンドリポートフォリオに加えられた650Vエンハンスドモード高電子移動度トランジスタ（E-HEMT）GaNプロセスである。LEDマーケットの親会社であるSanan Optoelectronics Inc.（三安光電）による長年のGaN量産製造経験を活用して、三安ICはMOCVDのキャパシティを持って高電圧、低リークで均一性の高いGaN-on-Siエピタキシャルウェハのファウンドリサービスを補完できる。

三安ICのアシスタントゼネラルマネージャーのジェイソン・チェン（Jasson Chen）氏は述べている。「当社の650V GaN E-HEMTプロセス技術の発表は、世界市場にサービスを提供するための高度な化合物半導体製造への当社の取り組みを実証するものです。」「我々は、GaN-on-Siを、今日の高電圧、高電力エレクトロニクス産業に最適なワイドバンドギャップ半導体として、炭化ケイ素（SiC）の補完的な技術と見なしており、部品供給者およびシステム設計者は、高電力アナログ設計における性能、効率および信頼性を向上させるために、従来のシリコンからWBG半導体に移行しつつあります。三安ICは、この高成長していく大規模パワーエレクトロニクス市場にサービスを提供することに成功しています。」

プロセス信頼性認定のJEDEC規格に合格した同社のG06P11 GaNオンシリコンプロセスは、50mΩ〜400mΩのドレイン - ソース間オン抵抗RDS（on）をサポートする650V EモードFET用のデバイス構造を提供する。低リーク、低ゲート電荷、高電流密度、および低ダイナミック比オン抵抗（Rsp）用に設計されているため、高温動作用の超高速スイッチングのコンパクト設計が可能となっており、今年後半には、マージド・ピン・ショットキー（MPS）ダイオード構造を採用した第2世代SiC SBDプロセスと同様に200V GaN E-HEMTプロセスのリリースが予定されている。プロセス技術としてのGaN-on-Siは、電源アダプタ、USB-PD（電力供給）、携帯用充電器、AC/DC無停電電源装置（UPS）の力率補正（PFC）など、最新の民生用およびサーバーアプリケーションに最適であり、また、この技術はEV/HEV（電気自動車/ハイブリッド自動車）、LiDAR、ワイヤレス充電など、他の市場でも注目を集めている。ヨール・グループ（Yole Group） の一社である有力な技術市場調査会社ヨール・ディベロップメント（Yole Développement）によると、GaNパワーデバイス市場は2023年までに423百万ドル以上の規模に成長し、2017年から2023年までの年平均成長率（CAGR）は93％と予測されている（註1）。三安ICは、パワーエレクトロニクス業界におけるこれらの複数の市場セグメントのために、この新技術の提供に取り組んでいる。

註１）
ヨール・ディベロップメント「パワーGaN 2018：エピタキシャル、デバイス、アプリケーションおよび技術動向レポート」より。

三安ICについて
三安インテグレーテッドサーキット (SANAN INTEGRATED CIRCUIT CO., LTD.:「三安IC」) は、中国初の6インチコンパウンド半導体ウェハファウンドリであり、世界中のマイクロエレクトロニクスとフォトニクスの市場を対象としている。同社は2014年に設立され、中国の福建省廈門市に拠点を置き、三安オプトエレクトロニクス (Sanan Optoelectronics Co., Ltd. SSE: 600703) の子会社として運営されている。同社は最先端のIII-V族半導体製造設備を用いて、GaAs、GaN、SiC、InPファウンドリサービスのエピタキシャルウェハと基板の開発、供給を行っている。また高度なプロセス技術プラットフォームを駆使して、RF、ミリ波、フィルタ、パワーエレクトロニクスおよび光通信市場のグローバルコミュニティのエンパワーメントを行っている。三安ICは化合物半導体の革新を目指す企業である。
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報道関係者向け問い合わせ先
レイモンド･ビーガン (Raymond Biagan)
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