HSINCHU, Taiwan--(BUSINESS WIRE)--Magnetoresistive random access memory (MRAM) is de voorloper van de volgende generatie digitale technologie. Het efficiënt en effectief manipuleren van MRAM is echter een uitdaging. Een revolutionaire doorbraak werd onlangs bereikt door een interdisciplinair onderzoeksteam gebaseerd aan de National Tsing Hua University (NTHU) in Taiwan, onder leiding van Prof. Chih-Huang Lai en Prof. Hsiu-Hau Lin. Door het toevoegen van een laag platina, slechts een paar nanometer dik, genereert het een spinstroom om de geprikte magnetische momenten naar believen om te schakelen – een taak die nog nooit eerder is volbracht.

Deze bekendmaking is officieel geldend in de originele brontaal. Vertalingen zijn slechts als leeshulp bedoeld en moeten worden vergeleken met de tekst in de brontaal, die als enige rechtsgeldig is.