桑尼維爾市，加利福尼亞州, Dec. 19, 2018 (GLOBE NEWSWIRE) -- SANAN INTEGRATED CIRCUIT CO., LTD. (Sanan IC) ，一家擁有先進化合物半導體技術平臺的晶圓製造專營公司，今天宣佈已完成了商業版本的6英寸碳化矽（SiC）晶圓製造技術的全部工藝鑒定試驗，並將其加入到代工服務組合中。Sanan IC致力於提供先進的材料製造能力，以服務全球市場，公司目前生產的碳化矽晶圓，是用於電力電子中電路設計的最成熟的寬禁帶（WBG）半導體。利用其III-V族化合物半導體製造供應鏈保證能力，即砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和磷化銦（InP），公司為6英寸碳化矽晶圓加工服務提供了專用能力。
“我們很高興公司的晶圓代工服務擴展到包括碳化矽的現有規模，並使其在全球寬禁帶半導體市場實現商業應用”，Sanan IC的首席執行官Raymond Cai說道，“由於具有更高的效率、開關頻率和溫度的特點，我們注意到在利用碳化矽取代矽解決方案服務高速增長的電力電子市場方面存在巨大商機。汽車、大數據、可再生清潔能源和電力行業的巨大增長，為我們向全球市場提供碳化矽工藝技術服務創造了機遇。憑藉我們先進的製造工廠、穩定的供應鏈和全球資深行業團隊，Sanan IC已經成為了理想的代工夥伴”。
Sanan IC的碳化矽工藝技術可以為650V、1200V和更高額定肖特基勢壘二極體（SBD）提供器件結構，不久後會推出針對900V、1200V和更高額定肖特基勢壘二極體的碳化矽MOS場效應電晶體工藝（SiC MOSFETs）。由於具有更高的性能，SiC SBDs和SiC MOSFETs正在用於從650V開始的能量轉換應用。考慮到相比於矽，碳化矽擁有更高的效率、功率密度、開關頻率、溫度、擊穿強度、以及更緊湊和更輕的系統設計的優良性能，一些領域已經開始應用這項技術。
碳化矽技術的應用已加速進入商業及工業市場，比如太陽能發電廠、工業馬達驅動器、企業伺服器和蜂窩基站電源的功率因數校正（PFC）。在電動汽車（EV）和混合動力汽車（HEV）中，碳化矽被廣泛應用於車載充電器（OBC）、動力傳動系統逆變器和DC/DC變流器。根據Yole集團旗下在科技市場調研公司中處於領先地位的Yole Développement（Yole）的預測，到2023年，碳化矽電力半導體器件市場的價值將超過15億美元，其2017年到2023年的複合年增長率（CAGR）將達到31%。Sanan IC有望滿足客戶對質量，體積，坡道和可靠性的要求。
資料來源：
1Power SiC 2018: Materials, Devices, and Applications Report, Yole Développement (Yole), 2018年7月
關於Sanan IC
Sanan Integrated Circuit Co., Ltd. (Sanan IC)是中國第一家6英寸化合物半導體晶圓製造公司，服務於全球微電子及光電子市場。該公司成立於2014年，位於中國福建省廈門市，是Sanan Optoelectronics Co., Ltd. (SSE: 600703)名下的子公司。該公司憑藉先進的III-V族化合物半導體生產設備，主營業務為開發和提供砷化鎵、氮化鎵、碳化矽和磷化銦代工服務。Sanan IC已得到ISO9001國際品質標準認證和ISO14001環境管理標準認證，並通過其先進的工藝技術平臺為全球無線射頻、毫米波、濾波器、電力電子領域和光纖通訊市場提供支持。Sanan IC: 致力於推動化合物半導體創新。www.sanan-ic.com/en。
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